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氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動功率電子行業(yè)迎來一場重大變革， GaN功率半導(dǎo)體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場，半導(dǎo)體公司英飛凌在剛剛發(fā)布的《2026年GaN技術(shù)展望》中表示，至2030年，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模預(yù)計將達到30億美元，年復(fù)合增長率高達44%。

英飛凌科技氮化鎵系統(tǒng)業(yè)務(wù)線負責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：“GaN已經(jīng)成為一個切實的市場應(yīng)用，在多個行業(yè)獲得了廣泛關(guān)注?！?/p>

英飛凌是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，以硅（Si）、碳化硅（SiC）和GaN領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案聞名，其依托300毫米GaN晶圓制造技術(shù)，英飛凌GaN產(chǎn)品性能卓越，為各類應(yīng)用場景帶來顯著優(yōu)勢：

1、英飛凌全新的CoolGaN? 650V G5晶體管系列產(chǎn)品在品質(zhì)因數(shù)（導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗的乘積）方面領(lǐng)先業(yè)界30-40%，可大幅提升系統(tǒng)性能和設(shè)計自由度。

2、英飛凌創(chuàng)新的CoolGaN? Transistor MV G5系列產(chǎn)品在器件內(nèi)集成了肖特基二極管，減少了15%的損耗，并將器件溫度降低了10%以上，在縮小尺寸、降低成本的同時，提高了效率與可靠性。

3、英飛凌的全新CoolGaN? 100V車規(guī)級晶體管系列產(chǎn)品進一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它滿足AEC-Q101標準的嚴苛要求，可幫助客戶應(yīng)對新一代汽車架構(gòu)設(shè)計中從12V向48V系統(tǒng)轉(zhuǎn)型的應(yīng)用需求。

英飛凌擁有超過50款GaN產(chǎn)品的豐富產(chǎn)品組合，涵蓋分立與高度集成解決方案，電壓覆蓋從40V至700V，布局消費電子、工業(yè)電子及汽車電子應(yīng)用領(lǐng)域，可為廣泛的功率應(yīng)用場景提供各類解決方案。

分析師預(yù)測，到2030年，GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望接近30億美元，較2025年市場規(guī)模增長400%1。

這一快速增長得益于2025年啟動的大規(guī)模產(chǎn)能擴張，這推動了GaN技術(shù)在多個行業(yè)的廣泛應(yīng)用，預(yù)計該市場在2025至2030年間的年復(fù)合增長率（CAGR）將達到44%，2026年其營收將達到9.2億美元，較2025年增長58%。

到2026年，設(shè)計人員有望在光伏逆變器、電動汽車（EV）車載充電器之外，發(fā)掘更多GaN雙向開關(guān)（BDS）的新型應(yīng)用場景。

英飛凌的高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計與雙柵極結(jié)構(gòu)，并基于成熟的柵極注入晶體管（GIT）技術(shù)。這種獨特架構(gòu)使同一漂移區(qū)可實現(xiàn)雙向電壓阻斷，相較傳統(tǒng)背靠背方案顯著縮小了芯片面積。例如，采用英飛凌CoolGaN? BDS（支持最高開關(guān)頻率1MHz）的光伏微型逆變器在同等尺寸下功率提升了40%，同時降低了系統(tǒng)成本。

此外，GaN技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷拓展，包括AI數(shù)據(jù)中心、機器人、電動汽車、可再生能源等行業(yè)，以及數(shù)字健康、量子計算等新興領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)中心市場，采用新型拓撲結(jié)構(gòu)的GaN電源實現(xiàn)了空前的效率與功率密度，功耗最多降低30%，助力部署更加高效緊湊的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。在人形機器人領(lǐng)域，GaN電機驅(qū)動體積可縮減40%，同時還能提高對于精細運動的控制能力。